本项目在国家的重点支持下，针对极大规模集成电路用硅单晶生长中关键变量的检测与处理、杂质含量与微缺陷抑制、生长工艺与控制方法、整机优化设计与制造等核心技术问题，历经10年研究，研制成功我国首台极大规模集成电路用300mm硅单晶炉并形成系列产品，打破了国外产品的垄断和技术封锁，整体性能达到国际先进水平，在非对称CUSP磁场设计与装置、激光液位检测方法与装置等方面处于国际领先水平。核心技术和系列产品已在相关行业推广使用并出口美国、韩国等企业，新增产值24.64亿元，新增利润4.65亿元，取得了显著的社会、经济效益。获得国家技术发明奖。

研制成功我国首台极大规模集成电路用300mm硅单晶炉并形成系列产品，打破了国外产品的垄断和技术封锁，整体性能达到国际先进水平，在非对称CUSP磁场设计与装置、激光液位检测方法与装置等方面处于国际领先水平。获得国家技术发明奖。

针对极大规模集成电路的应用。

核心技术和系列产品已在相关行业推广使用并出口美国、韩国等企业，新增产值24.64亿元，新增利润4.65亿元，取得了显著的社会、经济效益。

面议。