本项目处于国际领先水平。主要创新点：(1) 采用熔融纺膜与先驱体转化法相结合制备出了新型的功能性连续SiC自由薄膜（厚度8~100微米，宽度20毫米，连续长度＞100米）；(2) 从原料的合成阶段引入异质元素改性，制备出了耐超高温、低电阻率及高频发光特性的连续SiC(Al)自由薄膜及适合太阳能电池窗口材料的P型光伏薄膜。

主要特色：自由薄膜制备具有成本低、工艺简单、可工程化及结构功能一体化等特点，所制备的产品具有厚度与成分可控、高频宽谱带蓝光、紫外光发射、强抗辐射能力、耐磨损、耐高温及化学稳定性好等优良特性。此外，利用连续SiC自由薄膜独特的性质可在其表面形成一层连续的SiO2氧化层，这对各种制作以MOS为基础的器件非常有利。

产品的主要技术指标：

(1) 连续长度＞100 m (4) 硬度：~10GPa

(2) 厚度：8~100µm，可调节 (5) 电阻率：~106Ω•cm，可调节

(3) 弹性模量：250GPa (6) 光致发光：385~470nm强高频宽谱带蓝光、紫外光发射

项目组已突破了具有光电特性的连续SiC自由薄膜的关键技术，并制备出多种组分PCS先驱体，掌握了连续SiC自由薄膜不熔化交联预处理与高温裂解烧结的关键工艺，形成了连续SiC自由薄膜材料小批量生产能力。本技术已申报并公开了“一种碳化硅薄膜成型装置与碳化硅薄膜的制备方法”（CN101219788）、“一种发光碳化硅薄膜的制备方法”（CN 101275075）等6项国家发明专利，在国内外重要学术刊物上发表论文6篇。

连续SiC自由薄膜由于具有禁带宽度大、致密度高、缺陷密度小、自支撑与无束缚、电子迁移率高、热导率高、抗辐射能力强、化学稳定性好以及与硅集成电路工艺兼容等特性而成为理想的新型宽带隙半导体材料，在微机电系统(MEMS)、光电集成器件、蓝光发光器件、光伏器件、高温紫外光敏器件及高温压力传感器等高技术领域上都显示了很大的优越性，其应用前景十分广阔。

投产条件：以年产50~100公斤连续SiC自由薄膜需投资约200~250万元，用于添置高温高压釜、熔融纺丝机、真空脱泡炉、中高温真空气氛烧结炉等设备，厂房面积约800～1000平方米。

效益分析：生产该产品投资回收期在2~3年。投资利润达200%-300%，投资收益率达300％以上，投资净产值率达200%-300%，成本利润率达到450%。根据有关统计，本产品开发到投入市场，年产值增加5000万，利润增加3000万，创税500万，具有非常可观的经济效益。

技术转让或联合开发。