氮化铝（AlN）陶瓷是近年来电子工业中一种十分热门的材料，因其具有高的热导率（接近碳化硅和氧化铍，是氧化铝的5-10倍）、低的介电常数和介质损耗、良好的电绝缘特性以及与硅、砷化镓相匹配的热膨胀系数。与氧化铍陶瓷相比，氮化铝陶瓷不具有毒性，且生产成本较低，因此，氮化铝陶瓷是目前最为理想的高性能陶瓷基板和封装材料，并有逐步取代剧毒氧化铍陶瓷和低性能氧化铝陶瓷的强劲趋势。

AlN陶瓷是被国内外专家一致看好的一种新型封装材料，它具有优良的电热性能，也是目前公认的最有发展前途的高热导陶瓷材料。与氧化铝相比，氮化铝具有高的热导率，是氧化铝的5～10倍，AlN晶体是一种良好的声子导热体(在300K时，理论热导可达320W/m·K)，适应于高功率、高引线和大尺寸芯片；它的热膨胀系数与硅匹配，介电常数较低；其材质机械强度高，在严酷的条-2–仍能照常工作。因此，氮化铝可以制成很薄的衬底，以满足不同封装基片的应用要求。AlN陶瓷作为高热导、高密封材料有很大的发展潜力，是陶瓷封装材料研究的重要发展领域。人们预计，在基片和封装两大领域，AlN陶瓷最终将取代目前的Al2O3和BeO陶瓷。

氮化铝陶瓷的主要特点如下：

（1）热导率高，是氧化铝陶瓷的5-10倍，与剧毒氧化铍相当；

（2）热膨胀系数（4.3×10-6/℃）与半导体硅材料（3.5-4.0×10-6/℃）匹配；

（3）机械性能好，高于BeO陶瓷，接近氧化铝；

（4）电性能优良，具有极高的绝缘电阻和低的介质损耗；

（5）可以进行多层布线，实现封装的高密度和小型化；

（6）无毒，有利于环保。

已经制备出可产业化的氮化铝基板材料。

氮化铝陶瓷在多芯片模块（MCM，Multichip module），微波功率放大器（PA，Power amplifier），激光二极管载体（Laser diode Submount），大功率LED封装领域都有着广泛的应用前景。

需要高温真空热烧结炉，流延成型设备，激光打孔设备等。

合作开发或技术转让。