特点：1．暗电流低。利用异质结分离效应，光敏直径75微米芯片的暗电流可达到0.1nA。2．光响应度高。1310nm 达0.85～0.90 A/W,1550nm达0.95～1.05 A/W。3．频率高。光敏直径75微米芯片的截止频率为2.5GHz以上。4．性能可靠。采用氧化铝为钝化掩膜，芯片性能在10年以上。5．制造成本低。采用开管锌扩散工艺，大大节省了成本和时间。

主要技术指标：InGaAs/InP PIN 光电探测器芯片（以光敏直径75微米为例）的主要参数：工作波长：1.30～1.55微米; 工作电压：－5伏；响应度：0.85～1.05A/W（在1.31～1.55微米）;  暗电流：～0.5nA（10-9安培）；响应时间：80～120ps （皮秒）; 总电容：1.1pF （VR= -5V, f = 1MHz）；反向击穿电压：≥ 20伏; 工作寿命：～100万小时。

本芯片制造技术已经逐渐成熟，完成了实验室小试、中试，工业化试生产，以及小批量供应国内外用户使用得到好评。

光电探测器是将光信号转换为电信号的主要器件，广泛应用在光纤通信网络的光交换机、光接收端机、中继站，移动通信网络的光直放站，计算机网络中的光纤收发器、光纤网卡、光交换机、光集线器，有线电视网络的光接收机、光工作站、中继站等设备中和半导体激光器稳定驱动电路中。总之，只要有光和光纤的地方就需要有光电探测器。

投产条件：

1、作伙伴最好是半导体器件厂家，已经具有平面工艺生产线设备。

2、投产资金：600～1000万元（含设备和流动资金，不含土建）。

预期经济效益：

成本预算：

国产2英寸InGaAs/InP 外延片约 6000元/片，进口约8000～12000元/片。

芯片工艺成本约1000元/片。

芯片产值预计：

每个外延片约有8100个管芯，按成品率75%计算，可产管芯6000只。以最常见的光敏直径75微米芯片为例，最低单价管芯1.5美元/只。一片2英寸外延片可获产值约7万元，利润约4～5万元。按设备能力每天至少可生产一片，如果有定单可在2年内回收投资。

技术转让或合作开发。