Si基MEMS红外光源制造技术

Si基MEMS红外光源制造技术一、项目简介Si基MEMS红外光源具有很多优点:①光源具有体积小、能耗低和寿命长的特点。根据不同的使用目的和要求可封装成标准的单个和阵列器件,即插即用,方便可靠;②光源可在连续工作模式和脉冲模式下工作,高调制特性可实现编码调制的隐蔽工…

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中试
中国
技术转让,面议
面议
整体方案
环境工程,生物医药,机械电子
环保行业,IT\通信\电子\互联网,其它

方案描述

项目简介

Si基MEMS红外光源具有很多优点:①光源具有体积小、能耗低和寿命长的特点。根据不同的使用目的和要求可封装成标准的单个和阵列器件,即插即用,方便可靠;②光源可在连续工作模式和脉冲模式下工作,高调制特性可实现编码调制的隐蔽工作方式,因此在军事目标敌我识别上有较大应用前景;③光源可实现低成本大批量的制造。使用了特殊的晶片以简化红外光源的光学衬底的生长工艺, 可与现有的COMS工艺相兼容,生产成本低,提高了产业化的可能;④该光源通过技术扩展可实现窄带发射和波长可调谐的特点,可用来实现特种气体探测芯片的制造;⑤绿色、环保、无污染光源。


技术成熟度

我们从2006年就开始Si基MEMS红外光源的制备研究,目前Si基MEMS红外光源的制备工艺已很成熟,已进行了多次中试试验,性能达到或优于国外同类产品的技术指标。使用Al电极,器件最高温度可以达到850C,在600C时寿命不低于5年,可靠性测试表明器件满足使用要求。

应用范围

可用于大气环境监测(有毒气体、爆炸气体、汽车尾气等)、工矿企业生产安全、食品和药品生产安全、分光光度计、防盗报警、红外照明和显示、目标识别和跟踪、无人值守传感网络等。


投产条件和预期效益

Si基MEMS红外光源的制备与传统的半导体微加工制备工艺完全兼容。在超净(100级、1000级和万级)的环境条件下,需要LPCVD或PECVD薄膜生长设备、紫外光刻设备、氧化扩散设备、薄膜溅射设备、清洗腐蚀等。除光刻设备需要进口以外,其它设备国内均有生产。微机电中心拥有国内先进的MEMS微加工生产设备和测试设备,并已建立了相关的MEMS标准化生产工艺。在该中心,我们成功地制造了Si基MEMS红外光源。该中心集MEMS器件研发、实验和代理加工一体化面向全世界开放。

Si基MEMS红外光源目前在国内尚没有产业化,同类产品主要依靠进口。国外同类产品(如pulsIR、reflectIR、MIRL17-900、EMIRS200等)单芯片器件国内销售价格一般在7001000元不等。我们生产的红外光源单芯片成本不超过50元,利润空间巨大。目前军民两用市场以及未来不可预见的特种应用市场一旦开发,需求量十分巨大。


合作方式

技术转让,产品订购、风险投资,合资入股。


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