多晶硅提纯的除P工艺及设备 一、项目简介P是硅中的主要非金属杂质元素,在硅熔体中的分凝系数为0.35,用传统的定向凝固方法很难去除。本技术采用2N的工业硅为原料,通过真空电磁感应熔炼除P和快速顺序凝固工艺去除工业硅中的大多数金属杂质。设备包括电磁感应加热装置、强…
P是硅中的主要非金属杂质元素,在硅熔体中的分凝系数为0.35,用传统的定向凝固方法很难去除。本技术采用2N的工业硅为原料,通过真空电磁感应熔炼除P和快速顺序凝固工艺去除工业硅中的大多数金属杂质。设备包括电磁感应加热装置、强烈搅拌对流装置、倾倒和真空大气转换装置。主要通过自主设计和加工,使用安全可靠;节约能源和资源,废料回收综合利用。无污染物排放,实现清洁生产。
可将工业硅中的P从30 ppmw左右降低到0.1 ppmw以下,Al、Ca等金属杂质降低90%以上。
对真空除P的研究已有20余年的历史,从100克,15公斤、50公斤的规模做过系统研究与中试实验,并在国内部分硅冶金企业试验,方法可行。在实验室已经能将P含量稳定控制在0.1 ppm以下。可转向大批量生产(单炉次200Kg)。可自主设计相关设备。
用于工业硅的精细提纯,用于多晶硅系统提纯的上道工艺,且可与定向凝固结合起来,是冶金法提纯太阳能级多晶硅的关键工艺技术。
投产条件:
①单炉次200kg的设备价格约350万元,与定向凝固线结合,年产500吨;
②单套设备厂房用地约200平方米;
③具有水、电、气供应和环保排放系统;
预期经济效益:
经济效益:投产后一年左右可回收投入成本,低P产品升值是20~50倍。
产业化合作研发,技术转让。