紫外光电探测器由于在紫外天文学、环境监测、火灾探测、涡轮引擎燃烧效率监测、可燃气体成分分析和生物细胞癌变检测等方面有着广阔的前景，具有极高的军事和民用价值。采用4H-SiC半导体材料制备的紫外光电探测器，具有优良的可见光盲、漏电低、灵敏度高的特性，其探测波长范围在200-380nm，响应度约130mA/W，结电容约10fP，漏电流小于1pA，TO46金属管平面光窗封装。

我们从2002年就开始开展4H-SiC半导体紫外光电探测器的制备研究，掌握了SiC器件的制备关键工艺技术，研究了多种金属与SiC接触的性能，摸索出从材料清洗到封装的全部工艺流程，制备出的器件经省电子产品质量检验所检测，主要技术参数接近国际水平。

可用于大气中的紫外强度告警、可燃气体成分分析及医学紫外荧光检测等。

SiC紫外光电探测器的制备需要比较完整的半导体工艺线，其制备工艺包括清洗、光刻、氧化、干法刻蚀、溅射金属、退火、划片到封装等过程，部分工艺要在较高的清洁度的洁净室内完成，如果全过程建设，所需的费用约500万元左右，如已有半导体工艺线，则经简单改造后即可进行生产。按目前PIN结构，管芯面积约500X500um2计算，包括衬底、制备消耗的气体、贵金属、化学药品及设备折旧和人工等，每个探测器成本约200元，市场参考价格约300元。小批量生产每月可完成3万个管芯的制备。

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