在信息产业飞速发展的今天，为了满足人们对于手机、计算机、便携式数码设备等电子产品进一步轻便、小巧等的使用需求，必须使其核心的电磁元器件向微型化、薄膜化、集成化等方向发展。随着电路中的射频磁器件的体积不断缩小，使用频率不断提高，传统的铁氧体材料由于其饱和磁化强度低，使其在GHz使用频率下无法保持高的磁导率，这就迫切需要开发一种能够应用于GHz频率范围的高频软磁薄膜材料。目前国内外的科研人员采用不同方法研究并制备了多种软磁薄膜材料，如CoPdAlO（Sharp公司）、CoZrTa（Intel公司）、CoFeSiO/SiO2（Taiyo Yuden公司）等，但是很难满足在具有高饱和磁化强度的同时又具有很高电阻率的要求，因此在高频应用上存在局限性，无法有效抑制高频涡流损耗。

本项目采用磁控溅射沉积方法，以高饱和磁化强度的铁磁金属及合金为基础，添加适量非磁性金属，并在沉积过程中控制氧的搀杂，使铁磁性晶粒界面轻微氧化，制备出了具有面内单轴磁各向异性的磁性纳米薄膜及多层膜。在维持其高饱和磁化强度的同时具有较高电阻率（可有效降低高频损耗），并可以在无诱导磁场情况下，将薄膜的铁磁共振频率拓展至GHz频段，有助于射频电磁器件的小型化和高频化。

已经完成实验室阶段的研究，取得很好的性能指标。该成果已申请国家发明专利。

射频集成电路中的电磁元件，如薄膜电感、变压器、抗EMI器件等。

以全球片式电感器市场为例，半数以上被日系厂商如TDK、Taiyo、Murata等占据，我国电感器产量仅占世界总量的15%。以目前信息产业尤其是微波通讯技术相关设备更新换代的发展程度来看，有良好的市场前景和经济效益。

磁控溅射沉积设备以及相应靶材。预期经济效益可观。

合作开发或技术转让。