研究方向/领域 :

第三代半导体材料与器件及应用：氮化镓基半导体材料、蓝绿光LED、紫外LED、microLED、激光器、光电探测器、功率电子器件、微波射频器件等。

服务企业、产业相关工作成效、研究成果与荣誉：

孙钱，中国科技大学材料物理和计算机科学与技术双学士（郭沫若校长奖获得者）、美国耶鲁大学博士（耶鲁工学院Becton奖获得者），国家技术发明一等奖获得者，国家优秀青年基金获得者，中组部首批国家“青年千人计划”，省“双创人才”，省青年科技奖获得者，中国电子学会优秀科技工作者，科技部高新司“第三代半导体材料”项目总体专家组成员。现任中科院苏州纳米所研究员、博导、器件部副主任、所党委委员。近5年来主持承担了国家重点研发计划课题、863计划课题、中科院前沿科学重点研究项目、中科院STS计划重点项目等，累计经费逾4500万元。在Nature Photonics 、Light: Science & Applications 等期刊上发表SCI学术论文90余篇，总引用1300余次，是30余项美国和中国发明专利的发明人。兼任SEMI中国功率及化合物半导体委员会委员、中国激光杂志社青年编委、《半导体学报》编委。应邀在国际氮化物半导体学术会议ICNS、ISSLED、Photonics West、ICMOVPE、APWS、Semicon Taiwan等国际学术会议和产业论坛上作特邀报告。回国后带领团队研发了大尺寸、低成本硅衬底氮化镓GaN基高效LED技术，并在全球率先规模量产，年销售逾4亿元，荣获国家技术发明一等奖获得者，国家优秀青年基金获得者，中组部首批国家“青年千人计划”，省“双创人才”，省青年科技奖获得者，中国电子学会优秀科技工作者

研究成果与项目：

长期致力于硅基III族氮化物半导体材料生长与光电子及功率电子器件制备研究。通过与晶能光电有限公司的产学研实质性合作，带领团队研发了大尺寸、低成本硅衬底氮化镓GaN基高效LED技术，并在全球率先规模量产，年销售逾4亿元；研制出国际首支硅衬底GaN基激光器，不仅有望大幅降低激光器的制造成本，而且为硅基光电集成提供了一种新的技术路线，入选2016中国光学重要成果和科技部高新技术领域创新进展报告。