研究方向/领域 :

第三代半导体，光电子器件

GaN半导体材料及光电子器件; 蓝色、绿色VCSEL（垂直腔面发射激光器），谐振腔LED（RCLED）；超低阈值可见光激光器件；微型光显示

服务企业、产业相关工作成效、研究成果与荣誉：

1983年本科毕业，1986年硕士学位，1994年博士学位。1989-2006在日本学习工作，曾任日本东北大学副教授、在夏普公司、理化学研究所进行半导体材料的外延生长、检测与器件研制。2006年加入厦门大学，任特聘教授至今，现任电子科学与技术学院副院长，电子工程系主任。主持国家863项目，国家重点研发计划，基金委重点和面上项目，国防科工局挑战计划，省科技项目，市科技项目等，总经费超过2千万。在蓝色和绿色VCSEL（垂直腔面发射激光器）研究方面处于国内国际领先，研究结果好于国际大型企业（日亚，索尼等）和诺贝尔奖获得者，是国内唯一进行该器件研究的团队。

厦门大学学报（自然科学版）编委；省光电器件与技术重点实验室学术委员会主任；教育部紫外光发射材料与技术重点实验室学术委员会委员；教育部新材料界面科学与工程重点实验室学术委员会委员；省光传输与变换重点实验室学术委员会委员；市十二届政协委员；曾经兼任厦门某知名企业顾问；为厦门某大型光电器件企业引进日本科学家顾问。经过十多年的研究积累，攻克了多项关键技术，获得了发光波长400 ~ 570 nm内的可见光VCSEL的突破，特别是在国际上首次实现了绿光VCSEL的室温连续电注入激射，并具有国际上最低激射阈值电流。论文发表在影响因子14的高水平学术杂志上。研究结果被Semiconductor Today; Compound Semiconductors等做专题报道，应邀写有关的综述发表在影响因子11的学术期刊（Progress in Quantum Electronics）。受到国际知名企业（如Intel，华为）的关注，并受到邀请将在2019年初美国西部光电展（Photonics West 2019）上应邀请报告。发表论文200余篇，专利20余项。

研究成果与项目：

1）国际领先：开发了基于量子点的绿光VCSEL，获得室温连续电注入条件下的激射，阈值电流小于蓝光和蓝紫光VCSEL；

2）国际领先：开发了基于蓝光发光量子阱的绿光VCSEL技术，获得室温连续电注入激射；

3）国内领先：开发了蓝光、绿光谐振腔LED技术；

4）上述器件在微型光显示（如头盔显示）、生物医疗、微型激光投影、三维成像、激光照明等领域有广阔应用前景。国际上研发单位包括台湾交通大学、日本日亚化学公司、美国加州大学（诺贝尔奖获得者Nakamura研究组）、瑞士洛桑联邦理工学院、日本松下公司、日本索尼公司、日本名城大学（诺贝尔奖获得者Akasaki研究组）；

5）我们是大陆唯一进行该器件研究的团队，已经有十年研究积累，积累了比较成熟的经验技术。通过进一步完善提高制作工艺，提高器件性能，有望在1-2年内实现产业化；

6）合作方式可以是技术转让，也可以是共同开发；投资额根据合作方式有所变化，具体待定。